型號：GZ-RTS-3

手持式四探針測試儀

描述：手持式四探針測試儀四探針測試儀型號：GZ-RTS-3

測量范圍寬、度、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作的手持式；
體積僅為：185mm(長)*90mm(寬)*30mm()；重量：350g；
使用鋰電池供電，次充電可連續(xù)使用100小時；

RTS-3型是運(yùn)用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法家標(biāo)準(zhǔn)并

廠商性質(zhì)
生產(chǎn)廠家
更新時間
2025-10-23
訪問量
1973

產(chǎn)品咨詢聯(lián)系我們

產(chǎn)品分類PRODUCT

我們相信好的產(chǎn)品是信譽(yù)的保證！

相關(guān)文章ARTICLES

致力于成為更好的解決方案供應(yīng)商！

詳細(xì)介紹

品牌	恒奧德	產(chǎn)地類別	國產(chǎn)
應(yīng)用領(lǐng)域	環(huán)保,化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,制藥/生物制藥

手持式四探針測試儀 型號：GZ-RTS-3

	測量范圍寬、精度高、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作的手持式設(shè)計；
	體積僅為：185mm(長)90mm(寬)30mm(高)；重量：350g；
	使用鋰電池供電，一次充電可連續(xù)使用100小時；

   手持式四探針測試儀運(yùn)用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計的，專用于測量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。
  儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。如有需要可加配測試臺使用。
    本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對半導(dǎo)體材料的電阻性能測試。

技　術(shù)　指　標(biāo) ：

測量范圍	電阻率：0.01～1999.9Ω.cm；方塊電阻：0.1～19999Ω/□；
恒流源	電流量程分為100μA、1mA兩檔，兩檔電流連續(xù)可調(diào)
數(shù)字電壓表	量程及表示形式：000.00～199.99mV；分辨力：10μV；輸入阻抗：>1000MΩ；精度：±0.1%；顯示：以大屏幕LCD顯示讀數(shù)，直觀清晰；極性、超量程自動顯示；
四探針探頭基本指標(biāo)	間距：1±0.01mm；針間絕緣電阻：≥1000MΩ；機(jī)械游移率：≤0.3%；探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；探針壓力：5～16 牛頓(總力)；
四探針探頭應(yīng)用參數(shù)	(見探頭附帶的合格證)
模擬電阻測量相對誤差 ( 按JJG508-87進(jìn)行)	1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字
整機(jī)測量相對誤差	(用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測試)≤±5%
整機(jī)測量標(biāo)準(zhǔn)不確定度	≤5%
外型尺寸	185mm(長)90mm(寬)30mm(高)
重量	350g
電源	鋰電池，一次充電可連續(xù)使用100小時；
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境	溫度：23±2℃；相對濕度：≤65%；無高頻干擾；無強(qiáng)光直射

產(chǎn)品咨詢

留言框

產(chǎn)品：
您的單位：
您的姓名：
聯(lián)系電話：
常用郵箱：
省份：
詳細(xì)地址：
補(bǔ)充說明：
驗(yàn)證碼：

請輸入計算結(jié)果（填寫阿拉伯?dāng)?shù)字），如：三加四=7

上一篇：ZD-X-6A智能顯微熔點(diǎn)測定儀
下一篇：KSC-2局扇性能測試儀

手持式四探針測試儀

留言框

產(chǎn)品：

您的單位：

您的姓名：

聯(lián)系電話：

常用郵箱：

省份：

詳細(xì)地址：

補(bǔ)充說明：

驗(yàn)證碼：