少子壽命測(cè)試儀是款硅片少子壽命測(cè)試儀，不僅適用于硅片少子壽命的測(cè)量，更適用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶等多種不規(guī)則形狀硅少子壽命的測(cè)量。
 

　　使用前的檢查：
 

　　開機(jī)1、檢測(cè)所有電源連接無(wú)誤后，按Power鍵依次打開DOS系統(tǒng)(上面)和Window系統(tǒng)(下面)的控機(jī)。
 

　　2、預(yù)熱(10分鐘以上)
 

　　3、檢測(cè)前準(zhǔn)備(1)雙擊wintau32圖標(biāo)入軟件;;(2)每次開機(jī)后Measure/Initialize行初始化。
 

　　使用步驟：
 

　　(1)接上電源線以及用頻連接線將CZ與示波器Y輸入端接通，開啟示波器。
 

　　(2)將清潔處理后的樣品置于電上面，為提靈敏度，請(qǐng)?jiān)陔娚贤磕c(diǎn)自來(lái)水(注意：涂水不可過多，以免水入光照孔)注意：涂水不可過多，以免水入光照孔。
 

　　(3)開啟總電源KD，預(yù)熱15分鐘，按下K接通脈沖電路電源，旋轉(zhuǎn)KW，適當(dāng)調(diào)電壓。關(guān)機(jī)時(shí)，要把開關(guān)K按起關(guān)機(jī)時(shí)，按起。
 

　　(4)調(diào)整示波器電平及釋抑時(shí)間，內(nèi)同步，Y軸衰減X軸掃描速度及曲線的上下左右位置，使儀器輸出的數(shù)衰減光電導(dǎo)信號(hào)波形穩(wěn)定下來(lái)。
 

　　少子壽命測(cè)試儀少子測(cè)量程從1μs到6000μs，硅料電阻率下限達(dá)0.1Ω.cm(可擴(kuò)展至0.01Ω.cm)。測(cè)試過程程動(dòng)態(tài)曲線監(jiān)控，少子壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應(yīng)表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況，是原生多晶硅料及半導(dǎo)體及太陽(yáng)能拉晶企業(yè)少子壽命測(cè)量?jī)x器。